院試勉強会
院試過去問の解答
ノート 院試過去問 2005年度 専門科目 システム

http://www.i.u-tokyo.ac.jp/edu/entra/examarchive.shtml

院試過去問 2005年度 専門科目 システム

このページには悪意のある人間の手によってデタラメが書き込まれている場合があります。

必ずご自身で確認された上、自己責任で利用されるようご注意ください。

特に上の文がデタラメの可能性には注意してください.

また、上の三行の文は正しいですが、この行の文はでたらめの可能性があります。

第1問

第2問

(1)

もう分かるよね?
\frac{V_o}{V_i} = -j\omega RC
これは微分回路である。

(2)

\frac{V_o}{V_i} = -\frac{1}{j\omega RC}
これは積分回路である。

(3)

入力とコンデンサの間へ抵抗を挟む。
(1)の微分回路では、入力周波数に比例してゲインが増大するが、実際のオペアンプは裸利得以上のゲインを得ることができないので、高周波成分で発振する。
抵抗を入れることによって、高周波成分でのゲインが制限され、発振を起こさなくなるものと考えられる。

(4)

地道に計算すると、 \frac{V_o}{V_i} = - \frac{j\omega R_2 C_1}{(j\omega)^2R_1R_2C_1C_2 + j\omega (R_1C_1 + R_2C_2) + 1}

C_1R_1 = C_2R_2 = \frac{1}{\omega_c} であるから、
\frac{V_o}{V_i} = -\frac{R_2}{R_1}\frac{j\Omega}{(j\Omega + 1)^2} ただし、\frac{\omega}{\omega_c} = \Omega と置いた。

これより、低周波数 ( \omega<<\omega_c? )で微分回路
高周波数 ( \omega>>\omega_c? )で積分回路
この問題についてノートに記述があります

第3問

この問題についてノートに記述があります

第4問

第5問

(1)

状態3:Mem[IR[5:0]]\leftarrow ACC
状態5:PC\leftarrow PC-IR[5:0]

(2)

状態012345
mux2s0ΦΦΦ10
op101111110001

ただし、ΦはDon't care を表す。

(3)

\frac{(3\times(6+7+4+(3-1))+2\times(1))\times 10^6}{10\times 10^6}=5.9(秒)
CPI=\frac{59\times 10^6}{(6+7+4+3)\times 10^6}=\frac{59}{20}=2.95
この問題についてノートに記述があります

(4)

図とかここで描くの面倒だから描かないけど、多分DR要らないよね。
周波数変えないようにしながら状態1を消して(状態0から直接状態2〜5,0に分岐するようにして)一つの命令にかかるサイクル数を1〜2にしてしまえば
\frac{(2\times(6+7+4+(3-1))+1\times(1))\times 10^6}{10\times 10^6}=3.9(秒)
となって一割以上の大幅減さ。確かめて無いけど。 この問題についてノートに記述があります

第6問

(1)

帰納法で示す。

(2)

普通にドモルガンで分解するだけです。

\bar{F} = \neg (x_i \cdot F_i(1) + \bar{x_i} \cdot F_i(0))
= \neg (x_i \cdot F_i(1)) \cdot \neg( \bar{x_i} \cdot F_i(0))
= (\bar{x_i} + \bar{F_i(1)}) \cdot (x_i + \bar{F_i(0)})
= \bar{x_i} \cdot \bar{x_i} + x_i \cdot \bar{F_i(1)} + \bar{x_i} \cdot \bar{x} \cdot \bar{F_i(0)} + \bar{F_i(1)} \cdot \bar{F_i(0)}
= x_i \cdot \bar{F_i(1)} + \bar{x_i} \cdot \bar{F_i(0)}

(3)

計算するだけの簡単なお仕事。
\begin{align*} \overline{F} &=x_1\cdot\overline{(x_2\cdot x_3\cdot x_4+\overline{x_2}\cdot x_5\cdot x_6)} +\overline{x_1}\cdot \overline{(x_2\cdot \overline{x_3}\cdot \overline{x_4}+\overline{x_2}\cdot \overline{x_5}\cdot \overline{x_6})}\\ &=x_1\cdot (x_2\cdot \overline{(x_3\cdot x_4)}+\overline{x_2}\cdot \overline{(x_5\cdot x_6)}) +\overline{x_1}\cdot (x_2\cdot \overline{(\overline{x_3}\cdot \overline{x_4})}+\overline{x_2}\cdot\overline{(\overline{x_5}\cdot\overline{x_6})})\\ &=x_1\cdot (x_2\cdot (\overline{x_3}+x_3\cdot\overline{x_4})+\overline{x_2}\cdot (\overline{x_5}+x_5\overline{x_6})) +\overline{x_1}\cdot (x_2\cdot (x_3+\overline{x_3}\cdot x_4)+\overline{x_2}\cdot(x_5+\overline{x_5}\cdot x_6))\\\end{align*}

(4)

第7問

(1)

慣性モーメントI=\int_{0}^{2\pi}\int_0^R\frac{M}{\pi R^2}x^2 xdxd\theta + \int_{0}^{2\pi}\int_0^r\frac{m}{\pi r^2}x^2 xdxd\theta=\frac{MR^2+mr^2}{2}

(2)

(3)

トルクの釣り合いの式T_0 r=\mu_k(M+m)gRより
T_0=\frac{R}{r}\mu_k (M+m)g

(4)

床と物体の間に働く摩擦力をfとする。速度は右向き正、回転は左回り正とすると
物体の並進の運動方程式:(M+m)\frac{dv}{dt}=T_1 - F
物体の回転の運動方程式:I\frac{d\omega}{dt}=-\frac{I}{R}\frac{dv}{dt}=rT_1 - Rf
これら2式から\frac{dv}{dt}を消去して
\begin{align*} \frac{1}{M+m}(T_1-f)&=\frac{R}{I}(Rf-rT_1)\\ \therefore T_1 &= \frac{3MR^2+m(2R^2+r^2)}{MR^2+2(M+m)Rr+mr^2}f\end{align*}
ここで、滑らずに回転しているという条件から、fは最大静止摩擦力\mu_s(M+m)gを下回り、また右向きに進ので
0<T_1 < \frac{3MR^2+m(2R^2+r^2)}{MR^2+2(M+m)Rr+mr^2}\mu_s(M+m)g
また、この時の並進加速度は
\frac{dv}{dt}=\frac{T_1-f}{M+m}=\frac{2R(R-r)}{(3MR^2+m(2R^2+r^2))}T_1
である。

第8問

(1)

ガウスの面積分を用いて \int {\bf D}\cdot d{\bf S}=\int \rho dV 閉領域内の電荷の総和が領域からの電束の湧き出しの総和に一致.

(2)

ストークスの定理を用いて \int  {\bf B}\cdot d{\bf S}=0 磁荷は存在しないとかなんとか.

(3)

\int_C{\bf E}\cdot d{\bf r}=V,\phi= \int {\bf B}\cdot d{\bf S} を用いれば(式3)の積分形式となる.

(4)

(式4)の積分形式は \int_C{\bf H}\cdot d{\bf r}=\int {\bf i}dV+\int \frac{\partial {\bf E}}{\partial t}\cdot d{\bf S}
閉ループが共通の面領域を2つ考える。1つは配線を含む面もう一つをコンデンサ内を通過するような面とする。この二つの面積分は変位電流を考えることによって一致することになる。

(5)

コンデンサ内に半径rの円の閉ループをとって、式4を用いて
2\pi rH=\int \frac{\partial {\bf E}}{\partial t}\cdot d{\bf S}=\frac{\varepsilon_0\pi r^2}{l}\dot{V} 次にVを求めればよい。


トップ   新規 一覧 単語検索 最終更新   ヘルプ   最終更新のRSS