半導体概論の変更点

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[[講義日程-2006年度冬学期]]

**半導体概論 [#j2c9f70c]
-担当：染谷 隆夫 准教授、尾鍋 研太郎 教授
-金曜3限 駒場 531
-1.5単位
--物工：限定選択
--数理：限定選択C
--システム：限定選択C
-シケ対：未定
-[[掲示板>http://jbbs.livedoor.jp/bbs/read.cgi/school/13407/1163609874/l50]]

**内容 [#n4b9b049]
''前半分''
-10/6
--ガイダンス
--半導体の重要性・使われ方
-10/13
--半導体の物性
--真性半導体とドーピング
-10/20
--キャリアと電流
--ドリフト電流と拡散電流
-10/27
--NP接合ダイオード
--フェルミエネルギーとキャリア密度
-11/10
--FET(Field Effect Transistor)の動作原理
・11/17
--CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
--デジタル回路，デジタル回路素子
--NOT回路,NAND回路,NOR回路
--半加算器，全加算器
-12/1
--メモリ
--DRAMの構造
--SRAMの構造
-12/8
--フラッシュメモリの構造
--半導体の加工手法
--有機半導体の紹介

''後半分''
-12/15
--光半導体の技術の応用
--発光ダイオード，レーザーダイオード
-12/22
--半導体の物性
--結晶構造，温度特性，エネルギー準位分布
-1/12
--混晶半導体、バンドギャップと格子定数の変化
--量子井戸の特性
-1/26
--結晶成長の技術
--分子ビームでの膜成長
--GaN結晶成長の際のマスキングと転移の挙動

半導体概論 の変更点

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